我們就將原來只能從定義的角度進(jìn)行區(qū)分的SE1、SE2、SE3，轉(zhuǎn)變成出射角度不同的軸向SE、高角SE和低角SE。而按照角度進(jìn)行分類之后，在實(shí)際探測(cè)信號(hào)時(shí)是完全可以對(duì)其進(jìn)行區(qū)分的，我們會(huì)在之后的篇幅中對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)的介紹。

　　這樣，我們現(xiàn)在可以總結(jié)一下幾種類型SE的特點(diǎn)，如表2。

　　很多人都用過場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡，對(duì)樣品室內(nèi)SE探測(cè)器得到的低角SE2信號(hào)，與鏡筒內(nèi)SE探測(cè)器得到的高位SE1信號(hào)的圖像對(duì)比會(huì)深有感觸，很明顯兩者的立體感相差很大，見圖5。

　　圖5. 低角SE圖像(左)和高角SE圖像(右)

　　但是對(duì)鏡筒內(nèi)的SE信號(hào)再次拆解為高角SE和軸向SE可能會(huì)覺得很陌生，雖然前面我們已經(jīng)對(duì)二者進(jìn)行了介紹，但是畢竟不夠直觀。

　　我們不妨看看圖6，兩張圖都是使用鏡筒內(nèi)探測(cè)器獲得，分辨率和立體感都很類似，總體效果非常接近，但是軸向SE(左圖)受到小窗口聚焦碳沉積的影響，而同時(shí)獲得的高角SE(右圖)的碳沉積影響則輕微很多。

　　圖6. 軸向SE圖像(左)和高角SE圖像(右) 圖7的樣品為硅片上的二維材料，左圖為高角SE圖像，右圖為軸向SE圖像，軸向SE的靈敏度明顯高于高角SE。

　　圖7. 硅片上的二維材料，高角SE圖像(左)和軸向SE圖像(右)

　　圖8的樣品為絕緣基底上的二維材料，左圖為高角SE圖像，右圖為軸向SE圖像，可以看到軸向SE受到荷電的影響也要高于高角SE。

　　圖8. 絕緣基底上的二維材料，高角SE圖像(左)和軸向SE圖像(右)

　　總結(jié)一下，我們將二次電子拆解成軸向、高角和低角三個(gè)不同的類型，它們沒有優(yōu)劣之分，均有自己的特點(diǎn)，有優(yōu)點(diǎn)也有缺點(diǎn)。我們只有在實(shí)際操作時(shí)發(fā)揮出每種信號(hào)的優(yōu)勢(shì)，才能獲得最適合的圖像。

　　好了，關(guān)于SE的分類相對(duì)比較簡(jiǎn)單，相信您已經(jīng)完全理解，我們將在下一篇中詳細(xì)說一下BSE。

　　為了更好的理解這篇的內(nèi)容，讓我們通過幾張SE圖像來實(shí)際感受一下不同類型SE之間的差異吧!