33. 電子束引致電流(Electron-beam induced Current , EBIC)：當(dāng)一個(gè)p-n接面(Junction)經(jīng)電子束照射后，會(huì)產(chǎn)生過(guò)多的電子-空位對(duì)，這些載子擴(kuò)散時(shí)被p-n接面的電場(chǎng)收集，外加線路時(shí)即會(huì)產(chǎn)生電流。
34. 陰極發(fā)光(Cathodoluminescence)：當(dāng)電子束產(chǎn)生之電子-空位對(duì)再結(jié)合時(shí)，會(huì)放出各種波長(zhǎng)電磁波，此為陰極發(fā)光(CL)，不同材料發(fā)出不同顏色之光。
35. 樣品電流(Specimen Current)：電子束射到樣品上時(shí)，一部份產(chǎn)生二次電子及背向散射電子，另一部份則留在樣品里，當(dāng)樣品接地時(shí)即產(chǎn)生樣品電流。
36. 電子偵測(cè)器有兩種，一種是閃爍計(jì)數(shù)器偵測(cè)器(Scintillator)，常用于偵測(cè)能量較低的二次電子，另一種是固態(tài)偵測(cè)器(solid state detector)，則用于偵測(cè)能量較高的反射電子。
37. 影響電子顯微鏡影像品質(zhì)的因素:
A. 電子槍的種類(lèi):使用場(chǎng)發(fā)射、LaB6或鎢絲的電子槍。B. 電磁透鏡的完美度。C. 電磁透鏡的型式: In-lens ,semi in-lens, off-lensD. 樣品室的潔凈度: 避免粉塵、水氣、油氣等污染。E. 操作條件: 加速電壓、工作電流、儀器調(diào)整、樣品處理、真空度。F. 環(huán)境因素: 振動(dòng)、磁場(chǎng)、噪音、接地。
38. 如何做好SEM的影像，一般由樣品的種類(lèi)和所要的結(jié)果來(lái)決定觀察條件，調(diào)整適當(dāng)?shù)募铀匐妷?、工作距離 (WD)、適當(dāng)?shù)臉悠穬A斜，選擇適當(dāng)?shù)膫蓽y(cè)器、調(diào)整合適的電子束電流。
39. 一般來(lái)說(shuō)，加速電壓提高，電子束波長(zhǎng)越短，理論上，只考慮電子束直徑的大小，加速電壓愈大，可得到愈小的聚焦電子束，因而提高分辨率，然而提高加速電壓卻有一些不可忽視的缺點(diǎn)：
A. 無(wú)法看到樣品表面的微細(xì)結(jié)構(gòu)。B. 會(huì)出現(xiàn)不尋常的邊緣效應(yīng)。C. 電荷累積的可能性增高。D. 樣品損傷的可能性增高。因此適當(dāng)?shù)募铀匐妷赫{(diào)整，才可獲得*清晰的影像。
40. 適當(dāng)?shù)墓ぷ骶嚯x的選擇，可以得到*好的影像。較短的工作距離，電子訊號(hào)接收較佳，可以得到較高的分辨率，但是景深縮短。較長(zhǎng)的工作距離，分辨率較差，但是影像景深較長(zhǎng)，表面起伏較大的樣品可得到較均勻清晰的影像。
41. SEM樣品若為金屬或?qū)щ娦粤己?，則表面不需任何處理，可直接觀察。若為非導(dǎo)體，則需鍍上一層金屬膜或碳膜協(xié)助樣品導(dǎo)電，膜層應(yīng)均勻無(wú)明顯特征，以避免干擾樣品表面。金屬膜較碳膜容易鍍，適用于SEM影像觀察，通常為Au或Au-Pd合金或Pt。而碳膜較適于X光微區(qū)分析，主要是因?yàn)樘嫉脑有虻?，可以減少X光吸收。
42. SEM樣品制備一般原則為:
A. 顯露出所欲分析的位置。
B. 表面導(dǎo)電性良好，需能排除電荷。C. 不得有松動(dòng)的粉末或碎屑(以避免抽真空時(shí)粉末飛揚(yáng)污染鏡柱體)。D. 需耐熱，不得有熔融蒸發(fā)的現(xiàn)象。E. 不能含液狀或膠狀物質(zhì)，以免揮發(fā)。F. 非導(dǎo)體表面需鍍金(影像觀察)或鍍碳(成份分析)。
43. 鍍導(dǎo)電膜的選擇，在放大倍率低于1000倍時(shí)，可以鍍一層較厚的Au，以提高導(dǎo)電度。放大倍率低于10000倍時(shí)，可以鍍一層Au來(lái)增加導(dǎo)電度。放大倍率低于100000倍時(shí)，可以鍍一層Pt或Au-Pd合金，在超過(guò)100000時(shí)，以鍍一層超薄的Pt或Cr膜較佳。
44. 電子束與樣品作用，當(dāng)內(nèi)層電子被擊出后，外層電子掉入原子內(nèi)層電子軌道而放出X光，不同原子序，不同能階電子所產(chǎn)生的X光各不相同，稱為特征X光，分析特征X光，可分析樣品元素成份。
45. 分析特征X光的方式，可分析特征X光的能量分布，稱為EDS，或分析特征X光的波長(zhǎng)，稱為WDS。X光能譜的分辨率，在EDS中約有100~200eV的分辨率，在WDS中則有5~10eV的分辨率。由于EDS的分辨率較WDS差，因此在能譜的解析上，較易產(chǎn)生重迭的情形。
46. 由于電子束與樣品作用的作用體積(interaction volume)的關(guān)系，特征X光的產(chǎn)生和作用體積的大小有關(guān)，因此在平面的樣品中，EDS或WDS的空間分辨率，受限于作用體積的大小。
